Análisis de Radiación Solar y Comportamiento Térmico

Evaluación del impacto de la irradiación sobre paneles fotovoltaicos y estructuras de soporte

Componentes de la Radiación Solar

Radiación Directa

Flujo luminoso que llega a la superficie sin dispersión atmosférica. Máxima intensidad con cielo despejado. Variable según ángulo de incidencia, altitud solar y transparencia atmosférica.

Irradiancia típica: 850-1100 W/m² (condiciones óptimas)

Radiación Difusa

Radiación dispersada por partículas atmosféricas, nubes y aerosoles. Menor intensidad pero presente incluso con nubosidad. Importante en climas con alta frecuencia de cielo cubierto.

Contribución: 10-30% (cielo claro) hasta 100% (cielo cubierto)

Radiación Reflejada (Albedo)

Radiación reflejada por superficies cercanas: suelo, agua, edificios. Incrementa irradiación total recibida por paneles, especialmente en configuraciones bifaciales.

Albedo típico: 0.15-0.25 (suelo), 0.60-0.90 (nieve)

Efectos de la Acumulación Térmica

La exposición continua a radiación solar genera un incremento de temperatura en paneles fotovoltaicos y estructuras metálicas, afectando el rendimiento operativo y la integridad de materiales.

Temperatura de Operación

Los paneles solares operan a temperaturas significativamente superiores a la ambiental debido a la absorción de radiación infrarroja y la conversión fotovoltaica.

Temperaturas Típicas de Módulo

25°C
Condiciones de Prueba (STC)
45-55°C
Operación Típica Verano
65-75°C
Picos de Alta Irradiación
20-30°C
ΔT sobre Ambiente

Factores que Influyen en Temperatura:

  • Intensidad de irradiación recibida
  • Temperatura ambiente
  • Velocidad del viento (convección)
  • Configuración de montaje (ventilación)
  • Propiedades térmicas de materiales

Impacto en Rendimiento

La eficiencia de conversión fotovoltaica disminuye con el incremento de temperatura debido a efectos físicos en semiconductores.

Coeficiente de Temperatura

-0.3% / -0.5%
Pérdida por °C (Silicio Cristalino)
-0.2% / -0.3%
Pérdida por °C (Película Delgada)

Ejemplo de Pérdida de Potencia:

Módulo con coeficiente de -0.4%/°C operando a 60°C (35°C sobre STC):
Pérdida de potencia = 35°C × 0.4% = 14%

Consecuencias Operativas:

  • Reducción de voltaje de circuito abierto
  • Menor eficiencia de conversión
  • Aceleración de procesos de degradación
  • Mayor estrés en componentes electrónicos

Estrés Térmico en Estructuras

Expansión y Contracción

Los ciclos térmicos diarios y estacionales generan expansión y contracción de materiales. La dilatación diferencial entre componentes con distintos coeficientes térmicos produce estrés mecánico.

Coeficientes de Expansión Térmica:

23
×10⁻⁶/°C Aluminio
12
×10⁻⁶/°C Acero
9
×10⁻⁶/°C Vidrio
3
×10⁻⁶/°C Silicio

Puntos de Estrés:

  • Uniones atornilladas (aflojamiento)
  • Soldaduras (fatiga térmica)
  • Interfaz vidrio-marco (delaminación)
  • Conexiones eléctricas (resistencia de contacto)

Puntos Calientes (Hot Spots)

Áreas de temperatura elevada en módulos fotovoltaicos causadas por sombreado parcial, células defectuosas o desalineación. Aceleran la degradación local.

Causas de Hot Spots:

  • Sombreado parcial de células
  • Células con microfisuras
  • Deposición localizada de suciedad
  • Fallos en diodos de bypass
  • Desalineación en strings

Consecuencias:

  • Temperatura local: 80-100°C (hasta 150°C en casos severos)
  • Efectos: Delaminación, quemado de encapsulante, rotura de células
  • Detección: Termografía infrarroja, análisis de curvas I-V

Degradación Inducida por Radiación

Exposición UV

Radiación ultravioleta (200-400 nm) causa degradación fotoquímica de polímeros. Afecta encapsulantes, backsheet y aislamiento de cables.

Efectos Observados:

  • Amarilleamiento de EVA
  • Craqueo de backsheet
  • Pérdida de transmitancia
  • Fragilización de polímeros

LID (Light Induced Degradation)

Degradación de células de silicio durante las primeras horas de exposición a luz. Pérdida inicial de potencia del 1-3% en módulos nuevos.

Mecanismo:

  • Reacción boro-oxígeno
  • Formación de defectos
  • Estabilización tras 100-200h

PID (Potential Induced Degradation)

Degradación causada por diferencia de potencial entre células y marco. Migración de iones que reduce eficiencia. Acelerada por temperatura y humedad.

Condiciones de Riesgo:

  • Voltaje de sistema elevado
  • Alta humedad relativa
  • Temperatura > 40°C

Métodos de Análisis y Monitoreo

Termografía Infrarroja

Captura de imágenes térmicas para identificar distribución de temperatura superficial, hot spots y anomalías térmicas en paneles y conexiones.

Aplicaciones:

  • Detección de células defectuosas
  • Identificación de sombreados
  • Análisis de conexiones
  • Verificación de ventilación

Curvas Característica I-V

Medición de relación corriente-voltaje para evaluar rendimiento eléctrico. Permite identificar pérdidas resistivas, degradación y desalineación.

Parámetros Analizados:

  • Corriente de cortocircuito (Isc)
  • Voltaje de circuito abierto (Voc)
  • Punto de máxima potencia (Pmax)
  • Factor de forma (Fill Factor)

Piranómetros y Sensores

Instrumentación para medición de irradiación global, directa y difusa. Datos esenciales para correlación con rendimiento de sistemas.

Variables Medidas:

  • Irradiación en plano de módulo
  • Temperatura ambiente
  • Temperatura de célula
  • Velocidad y dirección de viento

Inspección de Materiales

Análisis de laboratorio de muestras para evaluar degradación a nivel material. Técnicas destructivas y no destructivas.

Técnicas Empleadas:

  • Electroluminiscencia (EL)
  • Espectroscopía UV-Vis
  • Microscopía óptica/SEM
  • Pruebas de aislamiento

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